本书系统地介绍了辐射对电子系统的损伤机理、加固技术和实践、辐射测试技术等研究内容,并阐述了抗辐射加固技术的发展趋势。第1章和第2章介绍了辐射环境与基本辐射效应、半导体器件的辐射效应损伤机理,并介绍了SiGeHBTBiCMOS工艺的辐射特性;第3~5章介绍了从工艺、版图和电路等方面进行抗辐射加固的技术;第6章针对模拟/混
硅通孔三维集成电路实现了晶圆在竖直方向的堆叠集成,具有集成度高、互连延迟小、速度快等优点;因而得到了广泛关注,本书系统化介绍了硅通孔三维集成电路测试中的各项关键技术,为读者进行更深层次的三维集成电路设计、模拟、测试和可测性设计打下良好的基础,也为三维集成电路的设计、制造、测试和应用之间建立一个相互交流的平台, 本书主要
本书首先介绍微电子的技术背景、工艺现状以及发展趋势,并阐述作为半导体衬底材料的单晶硅的生长方法及硅片的制作工艺;然后从基本原理和工艺过程两方面,阐述热氧化、热扩散、离子注入、光刻、刻蚀、蒸发、溅射、化学气相淀积、外延等微电子制造单项工艺过程;再以典型互补金属氧化物半导体(CMOS)器件为例,介绍制造完整器件并实现集成电
《微电子器件基础》重点介绍pn结二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、工作原理、直流特性、频率特性、功率特性和开关特性,以及描述这些特性的有关参数;简要介绍晶闸管、异质结双极晶体管、静电感应晶体管、绝缘栅双极晶体管、单结晶体管、双极反型沟道场效应晶体管和穿通型晶体管等微电子器件的基本概念、结构和工作原理。《微电
《集成电路封装材料的表征(英文)》的主要内容包括:Foreword;PrefacetotheReissueoftheMaterialsCharacterizationSeriesxiii;PrefacetoSeriesxiv;PrefacetotheReissueofIntegratedCircuitPackagin