本书共六章,内容包括:绪论、硅胶基间接固态发光氮掺杂碳点的构筑及其在黄光发光二级管中的应用、聚乙烯醇基间接固态发光氮硫共掺杂碳点的构筑及其在暖白光发光二级管中的应用、直接固态发光氮掺杂碳点的构筑及其在多色发光二级管中的应用、氮硫共掺杂碳点的构筑及其在倒置太阳能电池中的应用、结论与展望。

本书以作者近年来的研究成果为基础，结合国际研究进展，系统地介绍了金刚石超宽禁带半导体器件的物理特性和实现方法，重点介绍了氢终端金刚石场效应管器件。全书共8章，内容包括绪论、金刚石的表面终端、氢终端金刚石场效应管的原理和优化、金刚石微波功率器件、基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET、金刚石高压二极管、石墨烯/金刚石复合

本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料，在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章，第1~4章（氧化镓材料部分）介绍了氧化镓半导体材料的基本结构，单晶生长和薄膜外延方法，电学特性，氧化镓材料与金属、其他半导体的接触，氧化镓材料的刻蚀、离子注

随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、

氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的

本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性于一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华

氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的最新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输

本书聚焦电致变色，系统地总结了有机电致变色研究领域的最新研究成果。全书内容涵盖有机电致变色的发展历程、器件结构与原理、器件性能与测试、材料类型、多功能器件及电致变色器件的应用与展望等，对于全面了解电致变色材料领域的最新研究进展具有重要作用。本书具有以下几个特点：1）介绍了不同的电致变色材料与器件研究方面的发展情况和最新

量子点发光二极管（QLED）是显示领域的一种新型材料，因其具有发光效率高、可溶解加工、色域广、制造成本低、响应速度快等优势，备受科研人员关注，有望在商业上获得广泛应用。本书旨在向读者介绍近年来国内外胶体量子点发光材料与器件的进展，全面总结胶体量子点发光二极管器件中各功能层关键材料和器件的设计及优化方案，探讨材料性能、器

本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章，包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色